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掃描電子顯微鏡（SEM）
Ga離子雙束掃描電鏡（FIB-SEM）
價 格：詢價
產 地：更新時間：2021-01-18 15:06
品 牌：型 號：TESCAN GAIA3(XMU/XMH)
狀 態：正常點擊量：2534
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GAIA3-model 2016
具有非同尋常的超高分辨率成像和極其精確的納米建模
GAIA3 model 2016是***款可以挑戰納米設計應用的理想平臺，它同時具備極佳的精度和微量分析的能力。GAIA3 model 2016擅長的***些應用包括制備高質量的超薄TEM樣品，在技術節點減少層***的過程，精確的納米構圖或高分辨率的三維重建。
主要特點
TriglavTM-新設計的超高分辨（UHR）電子鏡筒配置了TriglavTM物鏡和的探測系統
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以獨特的方式結合了三透鏡物鏡和crossover-free模式
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的且可隨意變化的探測系統可用于同步獲取不同的信號
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超高的納米分辨率：15keV下0.7nm，1keV下1nm
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極限超高分辨率：1keV下1nm
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可變角度的BSE探測器，*優化了低能量下能量反差
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實時電子束追蹤(In-flight Beam TracingTM）實現了電子束的*優化
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傳統的TESCAN大視野光路（Wide Field OpticalTM）設計提供了不同的工作和顯示模式
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有效減少熱能損耗，卓越的電子鏡筒的穩定性
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新款的肖特基場發射電子槍現在能實現電子束電流達到400nA，且電子束能量可快速的改變
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為失效分析檢測過程中的*新技術節點提供了完美的解決方案
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適合精巧的生物樣品成像
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可觀察磁性樣品
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優化的鏡筒幾何學配置使得8’’晶元觀察成為可能（SEM觀察和FIB納米加工）
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獨有的實時三維立體成像，使用了三維電子束技術
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友好的，成熟的SW模塊和自動化程序
Cobra FIB鏡筒：高性能的Ga FIB鏡筒，實現超高精度納米建模
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在刻蝕和成像方面是*水平的技術
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Cobra保證在*短時間內完成剖面處理和TEM樣品制備
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FIB*佳分辨率<2.5nm
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FIB-SEM斷層分析可應用于高分辨的三維顯微分析
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適合生物樣品的三維超微結構研究，例如組織和完整的細胞
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低電壓下絕佳的性能，適合于刻蝕超薄樣品和減少非晶層
應用
半導體
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超細減薄TEM薄片厚度小于15nm，用于進行小于14nm工藝節點的失效分析
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通過平面去層***化的手段對三維集成電路板進行失效分析
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三維集成電路板的原型設計和電路修改
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電子束敏感結構材料的成像，如低電子束能量下的晶體管層，光阻材料等
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用于獨特三維結構分析的超高分辨FIB-SEM層析成像技術
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通過在亞納米分辨率下的透射電子(STEM)或元素分析(EBX, EBSD)等手段進行TEM薄片的原位分析
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6’’, 8’’及12’’晶片的檢驗及分析
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無失真的高分辨EBSD
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集成電路板和薄層測量下具有開創性及精確的原型設計，離子束光刻(IBL)以及失效分析
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通過結合FIB技術及電子束蝕刻(EBL)來進行細小的特殊結構的刻蝕及鍍膜。
材料科學
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非導電材料如陶瓷，高分子及玻璃等的成像
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納米材料如納米管和納米環的表征
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通過切片分析進行金屬及合金的疲勞和裂紋形成分析
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通過電子束蝕刻或聚焦離子束誘導沉積的方式進行納米結構如納米盤，觸體和霍爾探針的制造。
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磁性樣品的成像
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用于分析磁性材料磁化動力學及其疇壁運動的自旋電子結構的樣品制備
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通過TOF-SIMS分析進行同位素及具有類似相當質量的元素種類的鑒別
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通過TOF-SIMS包括三維重構進行鋰離子電極的貫穿分析
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通過元素分布，相分布及晶體取向進行高分辨FIB-SEM層析成像的材料表征手段
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通過二次離子成像進行腐蝕生長學的研究
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特定應用下的TEM薄片的樣品制備
生命科學
滬公網安備31011502016460號
